ลักษณะกระบวนการแกะสลักในอุดมคติ

กระบวนการแกะสลักในอุดมคติควรมีลักษณะสำคัญดังต่อไปนี้เพื่อตอบสนองความต้องการที่มีความแม่นยำสูงของการผลิตเซมิคอนดักเตอร์และเขตข้อมูลการประมวลผลนาโนขนาดเล็กอื่น ๆ :

① anisotropic etching ซึ่งหมายถึงเฉพาะการแกะสลักในแนวตั้งโดยไม่ต้องเจาะด้านข้าง . ด้วยวิธีนี้เราสามารถมั่นใจได้ว่าการจำลองแบบที่แม่นยำของรูปทรงเรขาคณิตที่เหมือนกันกับการต้านทานบนฟิล์มสลัก
②การเลือกการแกะสลักที่ดีหมายความว่าอัตราการแกะสลักของการต้านทานที่ใช้เป็นหน้ากากและฟิล์มบางหรือวัสดุพื้นฐานนั้นต่ำกว่าฟิล์มบางที่สลักไว้มากเพื่อให้แน่ใจว่าประสิทธิภาพของการต้านทานการปิดบังในระหว่างกระบวนการแกะสลักและป้องกันความเสียหายต่อวัสดุอื่น ๆ ภายใต้ฟิล์มบาง
batches การประมวลผลขนาดใหญ่การควบคุมง่ายต้นทุนต่ำมลพิษด้านสิ่งแวดล้อมน้อยที่สุดเหมาะสำหรับการผลิตอุตสาหกรรม .